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薄膜电容CL21-250V-473J

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产品用途及特点:

适用于旁路、隔直和耦合、滤波,低脉冲线路,无感结果容量范围宽,体积小,自愈的性能好,寿命长等特点。

● 符合RoHS指令

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CL21-250V-473J
  • 【所属分类】CL21薄膜电容
  • 【本体高度】11.5mm
  • 【电容量】0.047μF
  • 【本体厚度】10mm
  • 【容量编号】473
  • 【本体宽度】6mm
  • 【主要材料】金属化聚乙脂
  • 【额定电压】250VDC
  • 【引线间距】7.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.6mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
如需了解其它参数请通过右侧电话或者微信 QQ咨询

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推荐阅读 / Product Details


金属薄膜电容器在航天工业方面的应用,对于全球航空航天业以及防务业来讲,未来的技术前沿究竟在哪里,是当前各国积极探索的重点问题,并且在一些领域已经露出了端倪。可自动飞行的飞机,速度更快的直升机,航天器快速发射技术,类人脑计算机等等,这些技术不但已经有了成果,并且有的已经完成了原型机的制造。


它们无疑是航空航天与防务领域的技术前沿,也是在2015年大家关注的焦点。而除了前沿领域的技术探索,一些大型研制项目的进展情况也颇值得关注,他们都将对各自领域或所在的地区产生影响。但是对于金属薄膜电容在航天工业的使用大家都了解清楚了吗?没有关系,接下来东莞金属薄膜电容厂家就来为大家介绍一下,一起来看看吧。


芯片上的大脑计算机技术飞速发展的当下,计算机能耗的不断增大已经成为一个无法忽视的问题。特别是在国防领域,那些运行着复杂的软件系统以及具备高性能图形、视频等处理能力的计算机系统,其能耗要更大。


2015年,美国空军实验室将联合军方其他几个部门对一种新的高性能、低能耗的电脑处理器进行测试,该处理器采用 IBM公司研制的 TureNorth 芯片,每个TrueNorth芯片使用了54亿个晶体管,工作能力相当于100万个神经元和2.56亿个突触。它们被分成了4096个名为“神经突触内核”的结构。每一个这种结构都能使用一种名为crossbar的通讯模式来存储、处理并向其它结构传输数据。


更为重要的是,这种芯片能耗非常低,目前一款标准微处理器每平方厘米的功耗是50瓦到100瓦,而 TrueNorth 只有不足70毫瓦。用 TrueNorth 芯片构建一个与人脑工作能力相当的处理器,外形尺寸只有12.5厘米,功率不超过 1 千瓦。


相信大家对于金属薄膜电容在航天工业上面的使用都有一定的了解了,随着科技的发展,金属薄膜电容的应用领域也会越来越广阔。

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