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薄膜电容CBB21-630V-474J

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产品用途及特点:

广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路中,无感结构,损耗少,内部温升小,可承受高脉冲,大电流,耐高频100KHZ,容量变化少,负温度系数

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产品参数 / Product Details

  • 【产品型号】CBB21-630V-474J
  • 【所属分类】CBB21薄膜电容
  • 【本体高度】29mm
  • 【电容量】0.47μF
  • 【本体厚度】20mm
  • 【容量编号】474
  • 【本体宽度】10mm
  • 【主要材料】金属化聚丙烯
  • 【额定电压】630VDC
  • 【引线间距】27.5mm
  • 【测试电压】1800VDC
  • 【引线长度】3-22mm
  • 【标准偏差】J(±5%)
  • 【引线直径】0.8mm
  • 【损耗角正切】tanδ≤0.0010 1KHz
  • 【绝缘电阻】IR≥15000MΩ IR≥6000S(MΩ/μF)
  • 【温度范围】-40℃~+110℃
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陶瓷电容器(ceramic capacitor;ceranic condenser),也称为瓷介电容。陶瓷电容器是用以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜(通常为银)经高温烧结而形成电极,再在电极上焊上引出线,外表涂以保护磁漆,或用环氧树脂包封而成。外形是圆片形,蓝色居多,也有黄色。陶瓷材料配方不同,它的电性能也不同。


陶瓷电容器具有耐热性能好,绝缘性能优良,结构简单,价格低廉等优点,但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异,必须根据使用要求正确选用。


陶瓷电容按频率特性分有:高频瓷介电容器(1类瓷);低频瓷介电容器(2类瓷);交流瓷介电容器,按耐压区分有高压瓷介电容器(1KVDC以上)和低压瓷介电容器(500VDC以下)。


一:高频瓷介电容器(亦称1类瓷介电容器)


该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小,并且高频损耗值很小,(tanδ≤0.15%,f=1MHz),最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良,适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1(低压)和CC81(高压),其常规容量范围对应如下:


温度系数αC=1/C(C2-C1/t2-t1)X106(PPM/°C),是指在允许温度范围内,温度每变化1°C,电容量的相对变化率。由上表看出,1类瓷介电容器的温度系数很小,尤其是CH特性,因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材料的介电常数较小,因此其容量值难以做高。


二:低频瓷介电容器(亦称2类瓷介电容器)


该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大,因而制成的电容器体积小,容量范围宽,但频率特性和温度特性较差,因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1(低压)和CT81(高压)。由于其自身温升小,频率特性较好,因而可以用于频率较高的场合。


对低压瓷介电容,当容量大于47000pF时,则只能选择3类瓷介电容器(亦称半导体瓷介电容器)。


三:交流瓷介电容器


根据交流电源的安全性使用要求,在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器,亦称Y电容,是安规电容系列,按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列。


y电容主要作用为抑制EMI传导干扰。用来消除共模干扰,消除1M以上高频部分的干扰。也是分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。Y电容接地起滤波作用。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大。 Y电容的电容容量,电压,安规认证标识均在电容本体上有打印标识。Y 电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义。


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