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瓷谷科技银片原材料检验标准

时间: 2019-07-03  来源:陶瓷电容器厂家 作者:瓷谷电子
本检验标准适用于采购的高压陶瓷电容器芯片、安规交流陶瓷电容器芯片、压敏电阻器芯片的检验。分外观检验与电性能检验。
 

高压陶瓷电容器芯片、安规交流陶瓷电容器芯片、压敏电阻器芯片外观检验要求
1.1.检验方法:目视。
1.2.检验数量:1000只。
1.3.质量要求
银片表面应无杂质斑点、分层、缺边、胶边、边缘毛刺、粘砂、气泡、融孔、开裂、电极度范围内露瓷、电极度范围外有银、银层偏薄、银层还原不完全、银层氧化或被污染、瓷片炸裂等现象。
1.4.验收条件:抽检外观不良率小于或等于2/1000。
1.5.不合格处理方法:隔离、退货、开具来料不合格表单,通知供应商改善。
 

二、高压陶瓷电容器芯片、安规交流陶瓷电容器芯片、压敏电阻器芯片尺寸检验要求
2.1.检验方法:用游标卡尺测量芯片的直径与厚度;
2.2.检验数量:按批抽检20只,记录5只的测量数据。
2.3.质量要求:抽检的样品必须符合下表尺寸要求(表一)


检验项目 检验标准 判定
直径(公差) ±0.2mm 0收,1退
厚度(公差) ±0.1mm 0收,1退


2.4.验收条件:抽检样品外形尺寸100%符合要求。
2.5.不合格处理方法:隔离、退货、开具来料不合格表单,通知供应商改善。
 

三、高压陶瓷电容器芯片、安规交流陶瓷电容器芯片电性能检验要求
3.1.检验方法:先将抽样的银片制成成品,经过24小时老化稳定后测试电性能。
3.2.检验数量:20只/批。
3.3.质量要求:所抽检的样品必须符合如下电性能要求。
 
电性能测试条件(表二)
类别 测试电压(Vrms) 测试频率(Hz) 环境温度(℃) 环境湿度(%)
安规陶瓷电容器 1.0 1K 25±2 45~75
高压陶瓷电容器 1类 1.0 1M 25±2 45~75
2类 1.0 1K 25±2 45~75
 

所抽检电容器样品的电容量必须符合误差等级验收要求,具体如下(表三):
误差等级代码 误差等级国标要求 误差等级验收要求
J ±5.0% ±4.8%
K ±10.0% +9.9%;-9.9%
M ±20.0% +19.8%;-19.8%
Z -20%,+80% +78%;-19%,
 

所抽检电容器样品的损耗必须符合规定的验收要求,具体如下(表四):
类别 材质 损耗内控要求
高压陶瓷电容器、安规交流陶瓷电容器 Y5P DF≤2.50%
Y5U DF≤2.50%
Y5V DF≤2.50%
高压陶瓷电容器 NPO DF≤0.1%
SL DF≤0.15%
YL DF≤0.5%
 












所抽检电容器样品的耐电压必须符合规定的验收要求,具体如下(表五)
类别 额定电压(UR)500V者 额定电压(UR)1-3KV者 额定(UR)电压4KV者
高压陶瓷电容器 1.5KV 1.5 UR+500V 1.50 UR
安规交流陶瓷电容器 Y1:测试电压4000VAC/60S; Y2:测试电压2500VAC/60S;
 

所抽检电容器样品的绝缘电阻必须符合规定的验收要求,具体如下(表六)
类别 测试电压 绝缘电阻
高压陶瓷电容器 500VDC ≥10000MΩ
安规交流陶瓷电容器 500VDC ≥10000MΩ


3.4.验收条件:抽检样品的电性能100%符合要求。
3.5.不合格处理方法:隔离、退货、开具来料不合格表单,通知供应商改善。



四、压敏电阻器芯片检验要求
4.1.检验方法:先将抽样的银片制成成品,经过24小时老化稳定后测试电性能。
4.2.检验数量:20只/批。
4.3.质量要求:所抽检的样品必须符合如下电性能要求。
规格 压敏电压
测试条件
压敏电压 漏电流
测试电压
漏流标准 压比
5D68V以下 0.1mA 允许误差范围
M:在±9.8%之内
标称压敏电压的83% ≤20uA ≤1.20
5D82V以上 0.1mA ≤5uA ≤1.07
7D68V以下 1.0mA ≤20uA ≤1.20
7D82V以上 1.0mA ≤5uA ≤1.07
10D68V以下 1.0mA ≤20uA ≤1.20
10D82V以上 1.0mA ≤5uA ≤1.07
14D68V以下 1.0mA ≤20uA ≤1.20
14D82V以上 1.0mA ≤5uA ≤1.07
20D68V以下 1.0mA ≤20uA ≤1.20
20D82V以上 1.00mA ≤5uA ≤1.07


4.4.验收条件:抽检样品的电性能100%符合要求。
4.5.不合格处理方法:隔离、退货、开具来料不合格表单,通知供应商改善。

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